SiC功率元器件:开启节能新时代
2024-02-09SiC功率元器件的开发背景 随着全球能源问题的日益严峻，寻求有效的能源解决方案已成为当下社会的当务之急。其中，电力转换效率的提升是节能技术的重要一环。在这一背景下，SiC（碳化硅）功率元器件的开发与应用应运而生，其旨在实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换，以促进解决全球节能课题。 SiC作为一种宽禁带半导体材料，具有许多优异的特性，如高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等。这些特性使得SiC在高温、高压、高频率等极端环境下表现出优越的性能，使得其成为电力电子领域的研究热点。 以低
碳化硅SIC MOSFET替代传统
2024-02-07碳化硅SIC MOS优点：高频高效，高耐压，高可靠性。可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度。 相对应于传统MOSFET以及IGBT有以下优点： ╱ 高工作频率 ╱ 传统MOSFET工作频率在60KHZ左右，而碳化硅MOSFET在1MHZ 用途：高频工作，可以减小电源系统中电容以及电感或变压器的体积，降低电源成本，让电源实现小型化，美观化。从而实现电源的升级换代。 ╱ 低导通阻抗 ╱ 碳化硅MOSFET单管最小内阻可以达到15毫欧，这对于传统的MOSFET看来是不可想象的。 用途：轻松达
博世BOSCH买了一个晶圆厂
2024-02-07德国巨头博世昨日表示，将收购美国芯片制造商 TSI Semiconductors 的资产，以扩大其碳化硅芯片 (SiC) 的半导体业务。博世还表示，收购完成后，未来几年将投资 15 亿美元升级 TSI 半导体在加利福尼亚州罗斯维尔的制造设施。从 2026 年开始，第一批芯片将在基于碳化硅的 200 毫米晶圆上生产。 在美国本土生产更多芯片的消息在汽车界受到欢迎，汽车界是受 COVID-19 大流行开始的全球半导体短缺影响最严重的行业之一。短缺始于工厂因封锁而关闭或减慢生产，从而扰乱了全球供应链
英飞凌Sic碳化硅可靠性介绍
2024-02-07SiC MOSFET 因材料独特的物理特性，会出现与Si器件不同的衰减特性，因此原有的硅基IGBT的可靠性测试项目并不能完全涵盖碳化硅器件的需求。因此，英飞凌开发了针对SiC MOSFET的独有可靠性测试标准，包括500kHz开关频率下进行栅极应力测试（GSS），交流-湿度和温度循环试验（即AC-HTC）。 英飞凌的Sic碳化硅元件具有非常高的可靠性，原因如下： Sic碳化硅元件具有非常低的开关损耗和传导损耗，这使得它们能够通过相对平坦的RDS(on)与温度的依赖关系得到改善。CoolSiC™
碳化硅SIC能不能做IGBT
2024-02-07首先要说明SiC 也是可以做IGBT的。 碳化硅（SiC）是一种半导体材料，具有耐高压、耐高温、低损耗等优点，在电力电子领域应用广泛。SiC–IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）是一种复合全控型电力电子器件，是电力电子技术领域中应用最广泛的一种半导体开关器件。相较于传统的硅IGBT，SiC-IGBT具有更高的工作温度、更高的开关速度和更低的开关损耗，因此具有更高的效率和更小的体积。此外，SiC-IGBT还具有反向恢复电荷小
安森美SiC碳化硅厚积薄发
2024-02-07尽管 Onsemi 在功率 SiC 器件市场上入场相对较晚，但 Onsemi 的 2023 年第一季度业绩表明，该公司有望在 2023 年实现 10 亿美元的雄心勃勃的收入。该公司的收益比上季度几乎翻了一番，销售额增长了 3.5 倍以上。2021 年至 2022 年期间的收入。 主要IDM正在利用快速增长的功率SiC器件市场（该市场规模较2022年第一季度翻倍），但Onsemi在增长率方面超过了同行，包括市场领导者意法半导体。 YoleIntelligence的分析师PoshunChiu和Ta
派恩杰半导体1700V/1Ω SiC MOSFET国产碳化硅
2024-02-06近日，派恩杰半导体的1700V/1Ω SiC MOSFET产品成功通过国内知名新能源汽车企业的主驱逆变器辅助电源项目测试，并已成功应用，这标志着派恩杰半导体成为了首家进入主驱逆变器系统的国产碳化硅芯片供应商。派恩杰1700V系列器件针对高压辅助电源应用而开发，具有较高的耐压、极低的栅极电荷和较小的导通电阻Rds(on)，使其广泛适用于工业电机驱动、光伏、直流充电桩、储能变换器以及UPS等三相功率变换系统中的辅助电源设计，可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计、降低散热成本，大幅度减少辅助开
全球SiC晶圆代工最为激烈
2024-02-06随着英飞凌和 Wolfspeed 争夺全球最大碳化硅晶圆厂的称号，全球芯片制造商正在快速采取行动，确保碳化硅功率器件的供应。Onsemi 和 Rohm 也希望通过巨额预付款来提高 SiC 器件的产量，并且都在为晶圆厂供应晶圆达成交易。 未来五年，英飞凌将在模块三的第二建设阶段对其位于马来西亚居林的工厂投资高达 50 亿欧元。该公司表示，这超出了 2022 年 2 月宣布的原始投资，并将创建世界上最大的 200 毫米碳化硅工厂。 计划的扩张得到了客户承诺的支持，其中包括汽车和工业应用领域约
如何降低SIC碳化硅的生产成本
2024-02-06要降低SIC碳化硅的生产成本，使其能够应用于更广泛的市场，可以考虑以下几种方法： 改进生产工艺：通过优化生产流程和改进生产工艺，可以降低SIC碳化硅的生产成本。例如，采用更大尺寸的SIC单晶晶锭，提高晶锭的利用率，可以降低单位面积的材料成本。研发更高效的设备：研发更高效的设备可以降低SIC碳化硅的生产成本。例如，研发更高效的切割设备，可以减少材料的浪费，提高晶锭的利用率。开发低成本的衬底材料：SIC碳化硅的生产成本还包括衬底材料的成本。开发低成本的衬底材料，如碳化硅纤维或碳化硅颗粒，可以降低S
安森美AQG324对SiC模块封装和器件带来的挑战
2024-02-06随着SiC在主驱应用逐渐普及，很多客户新的设计都有考虑使用SiC模块；与此同时SiC功率模块的可靠性测试的标准也在进一步的更新。安森美(onsemi)的SiC功率模块在开发过程中遵循最新的AQG324标准，新的标准对于SiC的开发和可靠性提出了一些新的需求，安森美从模块和芯片开发，测试和生产的角度来理解这些需求，针对性的去开发和优化，将有助于提升产品的可靠性。 在前不久的线上研讨会中，安森美电源方案部汽车主驱逆变器半导体中国区负责人Bryan Lu为我们详细介绍了安森美如何应对AQG324对S